Parmi les applications figurent les diodes LED à haute luminosité et les systèmes d’alimentation électrique pour véhicules électriques et hybrides
Lyon-1er décembre- SOITEC premier fabricant mondial de plaques de silicium sur isolant (SOI) et Sumitomo Electric Industries, Ltd, ont annoncé mardi leur collaboration en vue de développer des substrats avancés en nitrure de gallium (GaN).
SOITEC, implanté à Bernin (Isère) est fournisseur de solutions innovantes pour les industries de l’électronique et de l’énergie. SUMITOMO Electric Industries est l’un des premiers fournisseurs mondiaux de semi-conducteurs composés.
L’alliance entre les deux entreprises s’appuiera d’une part sur la technologie de pointe développée par Sumitomo Electric pour la fabrication de plaques de GaN. Elle s’appuiera d’autre part sur la technologie exclusive de transfert de couches Smart Cut™ développée par SOITEC. Cette technique permet de transférer des couches de GaN ultra-minces à partir d’une unique plaque de GaN pour produire plusieurs substrats avancés en GaN. Ces substrats avancés présentent la même qualité cristalline que les plaques de GaN initiales de Sumitomo Electric, mais ont un coût moins élevé. Cette technologie facilitera ainsi l’adoption à grande échelle des plaques de GaN dans des applications telles que les diodes LED haute luminosité et les systèmes d’alimentation électrique dans les véhicules électriques et hybrides.
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