En électronique, les circuits intégrés sont constitués de milliards de transistors interconnectés pour constituer des fonctions logiques de calcul. L’élaboration d’un transistor nécessite de nombreuses étapes: dépôt de matériaux en couche mince, photolithographie et gravure par plasma. La photolithographie consiste à définir dans une résine photosensible des motifs qui seront transférés par une étape de gravure par plasma dans les couches de matériaux sous-jacents constituant le dispositif actif.
Toute la difficulté réside dans le contrôle de la dimension critique du transistor qui ne cesse de diminuer à chaque génération technologique. La rugosité de bord du transistor doit être inférieure à 2 nanomètres ( 2 milliardièmes de mètres) d’ici cinq ans pour assurer de bonnes performances électriques du dispositif; c’est à dire permettre aussi des fonctionnements plus économes en énergie.
Erine Pargon travaille depuis une dizaine d’années à la mise au point de procédés de gravure des divers matériaux des empilements de la grille des transistors pour les dispositifs électroniques les plus avancés. Ses travaux visent la compréhension des phénomènes physiques en jeu lors de la nanostructuration de la matière par gravure plasma.
