SOITEC et la société chinoise SILIAN (1) ont signé un accord de partenariat portant sur le développement conjoint de pseudo-substrats en nitrure de gallium (GaN) utilisant la méthode d’épitaxie en phase vapeur aux hydrures (Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE).

  Ces pseudo-substrats permettent de fabriquer des diodes électroluminescentes (LED) performantes en réalisant des économies exceptionnelles. L’accord permettra de valider les concepts de fabrication et la commercialisation de ces pseudo-substrats en nitrure de gallium utilisant les substrats de saphir de Silian et la technologie HVPE de Soitec

” Cette évolution de la technologie HVPE inaugure un modèle économique révolutionnaire grâce auquel les fabricants de diodes LED pourront libérer jusqu’à 60 % de leur capacité MOVPE. Les fabricants de diodes LED peuvent se concentrer sur l’amélioration des couches les plus délicates, qui constituent la partie électroluminescente des diodes », a déclaré André-Jacques Auberton-Hervé, Président-Directeur général de Soitec. « Nous explorons la possibilité d’élargir notre coopération avec Silian dans le domaine de l’éclairage par LED, en utilisant l’expertise en croissance épitaxiale accumulée par Soitec Phoenix Labs, notre filiale basée en Arizona. »

Pour Xiaobo Xiang, Président de China Silian Instruments Group, maison-mère de Silian, « Soitec et Silian disposent de technologies complémentaires très attractives. C’est pourquoi nous sommes impatients d’explorer avec Soitec les opportunités commerciales que peuvent offrir les vastes marchés des matériaux, des diodes LED et de l’éclairage à nos deux entreprises. »

1) SILIAN: Chongqing Silian Optoelectronics Science & Technology Co., Ltd. (Silian),